• Strona główna Strona główna
  • Strefa PRACOWNIK
Header
  • Aktualności
  • Nasi absolwenci
  • System Zapewnienia Jakości Kształcenia
  • Badania naukowe
  • Projekt ZAMAT
  • Inżynieria Materiałowa - kierunek zamawiany
  • Baza laboratoryjna
  • Dydaktyka
  • Zakłady
  • Pracownicy
  • Publikacje
  • Współpraca
  • Galerie zdjęć
  • Kontakt
    z Instytutem
  • Strefa PRACOWNIK
WPISZ SZUKANĄ FRAZĘ

LOSOWE ZDJĘCIE

"Wizyta Profesora Schöna z University of São Paulo"

Godło Politechniki Śląskiej

Logo wydziału

Logo PBN

Logo Inżynieria Materiałowa

Logo PTSt

Logo X STERMAT

Logo POLON

Logo PBN

Urządzenia > Mikroskop STEM HITACHI HD-2300A

Mikroskop STEM HITACHI HD-2300A


Opiekun urządzenia:
  • Dr hab. inż. Kinga Rodak prof. nzw. w Pol. Śl
  • Dr inż. Jacek Chrapoński docent w Pol. Śl.
Opis urządzenia:

HITACHI HD-2300A - skaningowy transmisyjny mikroskop elektronowy z działem typu FEG z emiterem Schotkiego łączy w sobie cechy mikroskopu SEM oraz TEM. Obraz w STEM tworzony jest poprzez skanowanie analizowanego obszaru wiązką elektronów. Umożliwia pełny opis struktury, za pomocą detektorów: SE, EDS, HAADF, TE. Dodatkowo, urządzenie wyposażone jest w kamerę umożliwiającą odwzorowanie obrazu dyfrakcyjnego. Mikroskop pracuje przy dużych wartościach napięć przyspieszających - 120kV, 200 kV. Do analizy struktury wykorzystuje się preparaty w postaci cienkiej folii.

Parametry mikroskopu:

* Działo FEG (emiter Schotkiego)

* Napięcie przyspieszające – 120kV, 200kV

* Zdolność rozdzielcza 0.204 nm (dla polikrystalicznego złota)

* Powiększenia w zależności od trybu pracy: NORMAL – 1 500 x (Low Mag) i 1 000 000 x (Normal Mag) HREM – 2 000 000 x UHREM – 5 000 000 x 

Możliwości badawcze:

1. Możliwość prowadzenia obserwacji struktury z wykorzystaniem: - detektora elektronów wtórnych ( SE) do obrazowania powierzchni próbki - detektora elektronów przechodzących (TE)- obserwacja struktury STEM w polu jasnym, - pierścieniowego detektora szerokokątowego (HAADF) - obserwacja struktury STEM w polu ciemnym (Z kontrast)

2. Obrazowanie struktury z wykorzystaniem trybu pracy: HREM (High Resolution Electron Microscopy) i UHREM (Ulra High Resolution Electron Microscopy)

3. Analiza składu chemicznego – spektrometr EDS zapewnia możliwość rejestracji promieniowania rentgenowskiego: z punktu, wzdłuż dowolnie poprowadzonej linii (linescan), z obszaru (mapping).

4. Dyfrakcja elektronów z nanoobszarów.

Zdjęcia:
^Do góry^ Strona główna
Instytut Inżynierii Materiałowej - 2017